2012年LED外延芯片行业发展状况

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国际LED外延芯片行业发展状况



　　LED外延生长及芯片制造环节在LED产业链中技术含量高，设备投资强度大，同时利润率也相对较高，是典型的资本、技术密集型行业，其技术及发展水平对各国LED产业结构及各公司的市场地位起着决定性影响。近年来，受到下游需求的拉动，LED在背光、照明等领域的渗透率将不断提高。根据国家半导体照明工程研发及产业联盟统计，2008 年全球LED芯片需求量折合为2 英寸外延片为73.6万片/月，至2010年上升至201万片/月，此期间内年复合增长率达65%，其预测，至2015 年，LED芯片总需求量折合为2 英寸外延片将达到1,875万片/月，约是2010年的9倍。



　　国内LED外延芯片行业发展状况



　　中国LED产业由封装起步发展，初期芯片主要依赖进口，近年来，在下游旺盛需求的拉动及各地政策的支持下，国内主要LED外延芯片企业加大研发投入，积极制定扩产计划，市场对于外延芯片环节的投资力度不断提升，使得国内LED外延芯片行业加速发展，至2011年我国芯片国产化率已达到70%。根据国家半导体照明工程研发及产业联盟的统计，2009年我国LED外延芯片行业整体市场规模约为23亿元，至2011年已上升至65亿元，年复合增长率达到68.11%。



　　根据国家半导体照明工程研发及产业联盟统计，2010年国内LED芯片需求量折合为2英寸延片已达到49万片/月，同比增长48%，其预测，未来五年内国内显示屏用LED芯片需求将继续保持稳定增长的趋势，而随着背光源渗透率的进一步提高及照明应用的启动，国内LED外延芯片需求量将大幅提升，至2015年，国内LED芯片需求量折合为2 英寸外延片将达到555 万片/月，约为2010 年的11 倍。



　　2012年LED外延芯片行业的进入壁垒



　　1、技术壁垒



　　LED外延生长及芯片制造过程需要多项专门技术，涉及光学、电学、材料学、表面物理、检测技术、光刻技术等多专业学科知识，以及物理分析、结构设计、参数设置、设备调控等多个生产环节，生产过程中需调控的工艺参数多达百余个，这不仅需要深厚全面的理论知识，更需要长期的实验测试及海量的实验数据作为基础。尤其在LED外延生长过程中，MOCVD设备在温区设置、变温变压过程调节、生长速率控制、自动化程度、载气与气源配比等方面需要与外延生长技术匹配，且每台MOCVD设备由于自身固有差异在工艺参数设置上均有所不同，需要长期的生产经验作为指导，对于技术人员的知识背景及操作经验积累提出了很高的要求。因此，新进入企业很难在短时间内开展LED外延片及芯片的批量化生产。



　　2、工艺管理壁垒



　　LED外延生长及芯片制造过程属于精细生产过程，需要严格的工序流程管理及生产控制。LED下游产品对于芯片的生产良率要求很高，在批量生产时，少量芯片的不合格将会导致终端产品的整体报废，因而对LED 芯片的稳定性可靠性提出了较高的要求。在规模化生产的同时确保芯片质量稳定，并能有效控制成本的工序流程管理，须通过长时间、规模化生产经验的积累。因此，产品制造工艺管理将成为新进入企业面临的主要障碍。